3、占空比
就象上面所说的“性能原则”“只要可能，要求应由性能特性来表达，显示驱动ic，而不用设计和描述特性来表达，这种方法给技术发展留有余地”。我们认为，“占空比”纯属一个设计技术的要求，不应该做为LED显示屏产品标准的一项性能指标；大家很明白，有哪个用户会在意显示屏的驱动占空比，他们在乎的是显示屏的效果，而不是我们的技术实现；我们何必自己制造这种技术壁垒，限制行业的技术发展呢？
4、刷新频率
从《标准》的测量方法来看，似乎忽略了用户真正关心的问题，驱动ic厂家，它也没有很好考虑到各个厂家所用的驱动IC、驱动电路和方式不一，造成测试的困难。譬如深圳体育场的全彩屏招标，在专家的样品测试中，这个指标的测试就带来许多问题。“刷新频率”一帧画面显示所需时间的倒数，把显示屏当做一个发光光源，那就是光源的闪烁频率。我们可以用类似“光感频率计”的仪器直接测试显示屏的光源闪烁频率，来反映这个指标。我们做过这方面的测试利用示波器测量任一种颜色的LED驱动电流波形来确定“刷新频率”，在白场下测得200Hz；在3级灰度等低灰度级下，所测频率高达十几kHz，而用PR－650光谱仪测量；无论在白场，还是在200、100、50级等灰度等级下，所测光源闪烁频率均为200Hz。
以上几点只是针对几个LED显示屏的特性做一个简单的说明，还有许多招中遇到的“工作寿命”、“平均无故障时间”等等，驱动ic，没有一种试验方法能在较短时间内证实LED显示屏是否符合稳定性、可靠性或寿命等要求；不应规定这些要求。
IGBT的驱动电路特点（一）
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
输出特性与转移特性：
IGBT的伏安特性是指以栅极电压VGE为参变量时，集电极电流IC与集电极电压VCE之间的关系曲线。IGBT的伏安特性与BJT的输出特性相似，也可分为饱和区I、放大区II和击穿区III三部分。IGBT作为开关器件稳态时主要工作在饱和导通区。IGBT的转移特性是指集电极输出电流IC与栅极电压之间的关系曲线。它与MOSFET的转移特性相同，当栅极电压VGE小于开启电压VGE(th)时，IGBT处于关断状态。在IGBT导通后的大部分集电极电流范围内，IC与VGE呈线性关系。
IGBT与MOSFET的对比：
MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。
主要优点：热稳定性好、安全工作区大。
缺点：击穿电压低，工作电流小。
半桥全桥复的驱动电路是使功率管产生交流制电的触发信号，并不是将交流信号变直流信号。百即使单片度机可以输出直流信号，但是它问的驱动能力也是有限的，所以单片机一般做驱动答信号，驱动大的功率管，来产生大电流从而才能驱动电机。
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