NIE-4000（M）IBE离子束刻蚀产品概述：如铜和金等金属不含挥发性化合物，这些金属的刻蚀无法在RIE系统中完成。然而通过加速的Ar离子进行物理刻蚀则是可能的。通常情况下，样品表面采用厚胶作为掩模层，刻蚀期间富有能量的离子流会使得基片和光刻胶过热。除非可以找到有效的方式消除热量，否则光刻胶将变得非常难以去除。
NANO-MASTER技术已经证明了可以把基片温度控制在50° C以内的同时，旋转晶圆片以达到想要的均匀度。
NIE-4000（M）IBE离子束刻蚀产品特点：
14.5”不锈钢立体离子束腔体
16cm DC离子枪1200eV,650mA, 气动不锈钢遮板
离子束中和器
氩气MFC
6”水冷样品台
晶片旋转速度3、10RPM，真空步进电机
步进电机控制晶圆片倾斜
手动上下载晶圆片
典型刻蚀速率：铜200 ?/min, 硅：500 ?/min
6”范围内，刻蚀均匀度+/-3%
J限真空5x10-7Torr，20分钟内可达到10-6Torr级别（配套500 l/s涡轮分子泵）
配套1000 l/s涡轮分子泵，J限真空可达8x10-8Torr
磁控溅射Si3N4以保护被刻蚀金属表面被氧化
基于LabView软件的PC计算机全自动控制
菜单驱动，4级密码访问保护
完整的安全联锁