NPE-4000（ICPM）ICPECVD等离子体化学气相沉积系统概述：NANO-MASTER ICPECVD系统能够沉积高质量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到z大可达6” 直径的基片上.该系统采用淋浴头电J或中空阴J射频等离子源来产生等离子，具有分形气流分布的优S.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压。并可以支持加热和循环冷却水的冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，腔体可以达到低至10-7 torr的真空。标准配置包含1路惰性气体、3路活性气体管路和4个MFC.带有*气体分布系统的平面中空阴J等离子源使得系统可以满足广大范围的要求，无论是等离子强度、均匀度，还是要分别激活某些活性组份，这样系统可以覆盖z广的可能性来获得各种沉积参数。
NPE-4000（ICPM）ICPECVD等离子体化学气相沉积系统应用：
等离子诱导表面改性：就是通常所说的用等离子实现表面改性(如亲水性、疏水性等)
等离子清洗：去除有机污染物
等离子聚合：对材料表面产生聚合反应
沉积二氧化硅、氮化硅、DLC(类金刚石)，以及其它薄膜
CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长：在需要的位置生长CNT或石墨烯。
NPE-4000（ICPM）ICPECVD等离子体化学气相沉积系统特点：
立式ICPECVD系统
不锈钢或铝制腔体
J限真空可达10-7Torr
ICP离子源
高达12”(300mm)直径的样品台
RF射频偏压样品台
水冷样品台
可加热到的800 °C样品台
加热的气体管路
加热的液体传送单元
抗腐蚀的涡轮分子泵组
z大可支持到8MFC
基于LabView软件的PC计算机全自动控制
菜单驱动，4级密码访问保护
完整的安全联锁