50N06 MOS场效应管 HC012N06L2 50N06 60V/50A TO-252贴片N沟道场效应管低压MOS管低结电容低内阻
型号:HC012N06L2参数：60V50A ，类型：n沟道场效应管，内阻14mR， 低结电容1100pF，封装：贴片（TO-252），低开启电压1.5V，低内阻，低结电容,低开启电压，
HC012N06L2采用沟槽工艺SGT工艺，性能比沟槽工艺/平面工艺的mos管更好、温升更低，结MOS管，低电容 、低内阻，高性能，高性价比，温升低，转换效率高，过电流大，抗冲击能力强
HC012N06L2优势替代HY1606D，替代HY1403D，替代HY1906D,替代NCE4060K 替代NCE3050K 替代CJU60N04 CJU50N06 CJU50N03 ME50N06 替代DTU50N06 替代IRF50N06，替代IRFR3707Z 替代NCE6050K
HC012N06L2广泛应用于LED驱动电源、LED汽车大灯驱动电源、舞台灯光、帕灯控制板等产品，高性价比
惠海半导体致力于研发销售高品质中低压场效应MOS管产品，不断创新及提供高性价比的产品来满足市场的需求，为客户提供可靠具性价比的产品，坚持不断创新，不断改善
惠海半导体广泛整合国外先进的生产技术和丰富的人力资源，在产品和市场上不断开拓创新
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