30V耐压MOS低内阻 SOT23-3 N沟道HC3400M

参数：30V 5.8A 

类型：N沟道场效应管

内阻27mR(Vgs=10V)

低结电容635pF 

封装：SOT23-3

低开启电压0.7V

广泛用于:电脑主板、蓝牙音响、电子烟、大电流RGB灯带调光、LED车灯、手机无线充、逆变系统。

 

【惠海MOS管常规封装】SOT23-3、TO-252、SOP-8、TO-220、TO-263、DNF3*3等

惠海半导体专业从事30-150V中低压MOS管的设计、研发、生产与销售，，量产稳定成熟，提供方案及技术支持。惠海半导体MOS管采用SGT工艺，性能优越，品质好，具有高频率、大电流、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、低温升、高转换效率、过电流大、抗冲击能力强、开关损耗小等的优点。

 

100V大电流系列：2N10、3N10、4N10、5N10、10N10、15N10、17N10、25N0、30N10、35N10、40N10、50N10

SOT23-3封装、SOT223封装、SOP8封装、TO-252封装、DFN封装

60V大电流系列：5N06、10N06、20N06、25N06、30N06、35N06、40N06、50N06、60N06、70N06

30V大电流系列：3400、3404、2301、2300、9926、30N03、20N03、50N03、70N03、100N03、110N03

150V系列：8N15、20

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【惠海半导体 场效应管原厂 设计方案】