IGN1214M250是最适合L波段雷达应用的高功率GaN晶体管。 该晶体管被指定用于AB类工作，提供1.2-1.4 GHz的工作频率，最小250W的峰值脉冲功率，50V和10％的占空比。 该单元采用金线技术通过芯片和线材技术组装，装在基于金属的封装中，并用陶瓷环氧树脂盖密封。
特征
GaN on SiC HEMT技术
250W输出功率
AB类操作
预先匹配的内部阻抗
经过100％大功率射频测试
负栅极电压/偏置排序
产品应用
通信
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