Mono- and Multi-crystalline wafer and brick lifetime measurement device
应用范围：用于常规质量控制、精密材料研发的单晶和多晶片及晶锭的寿命测量
根据SEMI标准PV9-1110的非接触式和无损成像(μPCD / MDP(QSS))、光电导性、电阻率和p/n检查。
晶圆切割，炉内监控，材料优化等。
日常寿命测量，质量控制和检验
◆产量：>240块/天或>720片/天
◆测量速度：对于156x156x400mm标准晶锭，<4分钟
◆生产改善：1mm切割标准为156x156x400mm标准晶锭
◆质量控制：用于过程和材料的质量监控，如单晶硅或多晶硅
◆污染测定：起源于炉和设备的金属(Fe)
◆可靠性：模块化和坚固耐用的工业仪器，更高的可靠性和运行时间> 99%
◆可重复性:> 99.5%
◆电阻率：不需要经常校准
晶圆切割，炉内监控，材料优化等。
日常寿命测量，质量控制和检验
◆产量：>240块/天或>720片/天
◆测量速度：对于156x156x400mm标准晶锭，<4分钟
◆生产改善：1mm切割标准为156x156x400mm标准晶锭
◆质量控制：用于过程和材料的质量监控，如单晶硅或多晶硅
◆污染测定：起源于炉和设备的金属(Fe)
◆可靠性：模块化和坚固耐用的工业仪器，更高的可靠性和运行时间> 99%
◆可重复性:> 99.5%
◆电阻率：不需要经常校准
精密材料研发
铁浓度测定
陷阱浓度测定
硼氧测定
依赖于注入的测量等
特性
完全无触点无破坏的半导体特性
特殊的“表面之下”寿命测量技术
不可见缺陷的 灵敏度的可视化
自动切割标准定义
空间分辨p/n电导型变换检测