（1）
对差分线布局优缺点分析，说明差分阻抗和特征阻抗的区别，给出版图布局注意事项，具体思路将按照下面过程完成：
1） 差分对两线长度差异性对信号时延，对EMI问题的影响分析；
2） 差分对是否需要屏蔽地提供回流路径分析，屏蔽地如何进行合理布局；
3） 差分阻抗、差模阻抗公式计算，以及和结果的定性比对；
4） 差分对线间距对差分阻抗的影响分析；
5） 差分对线长和线间距对信号影响的比对分析，在设计中如果二者冲突时，应如何取舍；
6） 差分对两条走线间距缩小对EMI屏蔽效果的影响，分析是否间距越小越好，是否有其他方式可以进行EMI屏蔽。
对于 L1=L2 这种特殊情况， T-coils 成为了简化的对称螺线结构， 如下图（a）。
宽带电路中 T-coil 的应用，希望能在感兴趣带宽至少十倍情况下保持模型，那么 Tcoil 必须正确建模。下图（b），模型螺线被分为 6 个部分，每个部分用电感、串联电阻、并
联电阻、寄生电容表示。
注意： 线圈间的寄生电容在建模中已被考虑， 而这些电容在 T-coil 的 A、 B 端是并联叠
加的， 所以在确定终的桥接电容 CB时要从目标值中减掉这些寄生电容量。
例如：设计目标值是 50fF， 我们在 ADE 中， 不能直接给 T-coil 桥接一个 50fF 的电
容， 应该考虑线圈间的寄生电容量， 这个量一般无法准确计算， 设计中可以对 CB 进行 sweep
迭代， 终通过观察 S11 和 3dB 带宽结果， 找到一个值。
根据软件的优化经验， 给出下面几个常规调整经验：
（1） 通过调整线间距， 可以修正耦合系数 K（peakview 甚至可以调整上下两层走线
的偏移量来微调 K）；
（2） 通过调整螺线外尺寸及圈数， 可以优化感值。
（3） 通过调整线宽可以获取的插损
计中牵扯到 2 个主要参数（LAB、 K），需同时满足目标值，所以将 LAB 进行优化设定，
而 K 值通过 sweep 生成多个拓扑结构进行选取。
（1） 先将‘turns’设置为 3，直接，看看默认这些物理参数条件下 LAB 大概是
多少，结果尽量在目标值 1.5nH 左右， 方便后续优化 sweep 迭代。
（2） 对 LAB 进行优化，选‘Outer Radius’进行调整，目标值 1.5n， 频率点就默认的
即可。（反正看的是全频段结果，在高频时应该感值会增加）
（3） Sweep 设置， 为了得到较多的物理拓扑结构， 选择 2 个物理尺寸进行扫描（线
宽 w 和线间距 S），将‘Width’和‘Spacing’设置为变量 w、 s 后，点击‘OK’，
会弹出变量设置对话框。设置 s、w 的起止尺寸和点数（注意不要违反 DRC rule）。
本例中 w 设置 6 个点， s 设置 5 个点，这样会有 30 个拓扑结构， 那么 K 值选择
范围会大些。
（4） 类型自行选择，本例为了快速，选择的低精度‘interconnect’。也仅生
成 nport 模型，没有勾选集总 PBM 模型。
