硅外延片在硅单晶衬底上沿其原来的晶向再生长一层硅单晶薄膜的半导体硅材料。
硅外延片检测周期：7-10个工作日(参考周期、可加急)
硅外延片检测标准（部分）
1、 GB/T 14139-2009 硅外延片
2、 GB/T 14139-2019 硅外延片
3、 GB/T 35310-2017 200mm硅外延片
4、 SJ/Z 1610-1980 硅外延片缺陷图集
5、 SJ 1550-1979 硅外延片检测方法
6、 T/ZZB 2833-2022 高压MOSFET用200 mm硅外延片
7、 SJ 20514-1995 微波功率晶体管用硅外延片规范
8、 T/IAWBS 002-2017 碳化硅外延片表面缺陷测试方法
硅外延片检测范围
碳化硅外延片、8英寸薄层P型硅外延片、高压大功率FRD用硅外延片、P型硅外延片、N型硅外延片、低功耗VDMOS器件用硅外延片、掺As薄层硅外延片、高压大功率微波PIN器件用硅外延片、p/p硅外延片、增强吸杂硅外延片、薄层高阻硅外延、快速恢复二*管用硅外延片、瞬变电压抑制二极管用硅外延片、CCD器件用硅外延片等。
硅外延片检测项目
外观质量、表面缺陷分析、背面边缘异常黑斑原因分析、晶体缺陷、均匀性、纵向电阻率、翘曲度非接触测试、电阻变化率、厚度变化、过渡区宽度检测、电阻率、厚度及径向厚度变化、晶体完整性、表面金属元素分析、表面质量、常规检测、第三方检测、现场检测等。（具体以客户实际情况为准）
客户为什么选择上海复达检测呢?
1、更短的检测周期
2、更低的检测费用
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上海复达检测是法定第三方检测机构，具有CMA、CNAS等资质，硅外延片检测服务面向全国，包含上海、北京、天津、沈阳、济南、南京、苏州、杭州、宁波、合肥、郑州、武汉、长沙、广州、深圳、成都、西安等地区。
