PW200-12金武士蓄电池12V200AH单体功率

金武士系列阀控密封式免维护铅酸蓄电池采用高性能极板、技术AGM隔板、高纯度电解液及ABS材料池壳制成，综合性能与一般普通阀控铅酸蓄电池相比有如下特点：
1、长寿命
采用添加稀土金属的铅合金制造板栅，比一般铅钙锡合金板栅电池的寿命提高25%；
加强正板栅筋条，耐腐蚀性比传统设计有较大提高。
2、绿色环保
采用分层封口技术，杜绝电池的漏酸、爬酸现象，有效防止酸雾对设备和环境的腐蚀。
3、高可靠性
利用先进的装配工艺结合严谨的质量管理体系，提高电池抗震性能，有效避免电池的虚焊和假焊以及在运输和使用中因震动而造成的故障；
电池内阻均一性高，大大改善多组电池并联使用时出现不均一的现象。
4、内阻小
采用添加特种超细纤维的隔板，提高正、负极板的反应接触面，使电池内阻大幅度降低，并可以改善在使用过程中不会出现因隔板的耐疲劳性下降而内阻升高的现象；
采用50-60kps装配压力，有效改善注酸后极群压力减少导致电池内阻在使用异常增大的现象出现。
5、自放电小
使用分析纯级别硫酸电解液，合理的配置专用添加剂，有效降低电池自放电速率。
6、高安全性
进口橡胶制成的高效安全阀，动作有效性持久、抗老化、抗腐蚀，有效地确保产品在使用过程中内部压力的安全性。

主要研究内容及现状；　l 模块的封装和互连技术；　目前,集成主要采用混合集成方式,因此，封装技术就成为电力电子集成研究的关键。

　　(1)MCM封装技术：MCM是由一种由两个或者两个以上的裸芯片或者芯片尺寸封装的IC组装在一个基板上的模块，模块组成一个电子系统或子系统。MCM分三种基本类型，一种是MCM-L(采用片状多层基板的);一种是MCM-C(是采用多层陶瓷基板的);另一种是MCM-D(是采用薄膜技术的)。这三种封装形式根据封装的对象不同和封装器件的应用环境不同各有自己的优缺点，在此不再细说了。MCM封装有很多优点，例如提高PCB板的利用率、增强IC的可靠性、增强系统的EMC、优化PCB板的设计和降低投资风险等[2]。

　　(2)倒装芯片技术：倒装芯片技术是一种将晶片直接与基板相互连接的先进的封装技术。在封装过程中，芯片以面朝下的方式让芯片上的结合点透过金属导体与基板的结合点相互连接的封装技术。和传统的引线键合技术相比，使用倒装芯片技术后，引脚可以放在晶粒正下方的任何地方，而不是只能排列在其四周，这样就能使得引线电感变小、串扰变弱、信号传输时间缩短，从而提高电性能;同时，由于倒装芯片技术可以将导电晶体直接覆盖在晶粒上，从而能够大幅缩小晶粒的尺寸，实现芯片尺寸封装CSP。

　　(3)嵌入式封装：首先在陶瓷框架上刻蚀出空洞。功率芯片被埋设在陶瓷框架的空洞内，之后，在其上部利用丝网漏印、光刻等技术分别涂覆介质薄膜以及金属膜并使之图形化，最后，集成模块的驱动、控制、保护元件以表贴或膜式元件的形式粘附在最上层。嵌入式封装结构的最大优点是可以大为缩小模块的体积，继而提高模块的功率密度。

　　(4)新型的互连方式：传统电力电子器件采用的互连工艺主要有键合与压接两种方式;其中压接方式的缺陷主要体现在对管芯、压块、底板等零件平整度要求很高，否则不仅使模块的接触热阻增大而且会损伤芯片，严重时使芯片碎裂。引线键合技术本身存在诸多技术缺陷表现在：如并联的多根铝丝电流分配不均匀、有较大的局部寄生电感、较大的高频电磁应力等，以至影响键合寿命。目前，国际上已提出多种技术方案，根据其互连方式大体可以划分为两类，以焊接技术为基础的互连工艺和以沉积金属膜(薄膜或厚膜)为基础的互连工艺[3]. ①以焊接技术为基础的互连工艺普遍采用叠层型三维封装结构，即把多个裸芯片或多芯片模块沿Z轴层层叠装、互连，组成三维封装结构。层叠三维封装的优点是工艺相对简单，成本相对较低，关键是解决各层间的垂直互连问题。目前焊接互连有焊料凸点互连和金属柱互连平行板结构。焊料凸点互连：该技术利用焊料凸点代替引线构成芯片电极的引出端并常与倒装芯片技术结合，以进一步缩短引线间距。焊料凸点互连的优点在于省略了芯片和基板之间的引线，起电连接作用的焊点路径短、接触面积大、寄生电感、电容小，封装密度高;金属柱互连平行板结构：在硅片的正反两面上下各有一层互相平行的陶瓷覆铜板DCB板上都预先刻蚀有相应的电路，硅片的底面直接焊接在DCB板上，而硅片正面的电极是通过直接键合的金属柱引出，与上DCB板构成电气连接，即借助金属柱完成了硅片之间及上下DCB板之间的互连。②以沉积金属膜为基础的互连工艺多采用埋置型三维封装结构，即在各类基板或介质中埋置裸芯片，顶层再贴装表贴元件及芯片来实现三维封装结构。其最大优点是能大大减少焊点，缩短引线间距，进而减小寄生参数。以沉积金属膜为基础的互连工艺有;薄膜覆盖技术和嵌入式封装等。