高压西林电桥介电常数测试仪

发布日期 :2022-04-19 13:49 编号:10074431 发布IP:106.118.32.8
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概述电桥简介:
BQS-37a(QS-37a)型高压电桥是本公司推出的新一代高压电桥,主要用于测量工业绝缘材料的介质损耗(tgδ)及介电常数(ε)。符合GB1409、GB5654及GB/T1693, ASTM D150-1998(2004) 固体电绝缘材料的交流损耗特性及介电常数的试验方法其采用了西林电桥的经典线路,内附0-2500的数显高压电源及100PF标准电容器,并可按用户要求扩装外接标准电容线路。
电桥的特点;桥体内附电位根宗器及指零仪,外围接线及少。
电桥采用接触电阻小,机械寿命长的十进开关,保证测量的稳定性
仪器具有双屏蔽,能有效防止外部电磁场的干扰。
仪器内部电阻及电容元件经特殊老化处理,使仪器技术性能稳定可靠。

测试线二根
范围本标准规定了在15 Hz~300 MHz的频率范围内测量电容率、介质损耗因数的方法,并由此计算某些数值,如损耗指数。本标准中所叙述的某些方法,也能用于其他频率下测量。
本标准适用于测量液体、易熔材料以及固体材料。测试结果与某些物理条件有关,例如频率、温度、湿度,在特殊情况下也与电场强度有关。
有时在超过1000V的电压下试验,则会引起一些与电容率和介质损耗因数无关的效应,对此不予论述。
规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。
凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包指勘误的内容)或修订取均不适用十本标准,然向,鼓励根据本标准达战协议的各方错死是否可使用这些文件的醉新版本。凡是不注日期的引用文件.其醉新板本适用于本标准。
IEC 60247∶1978 液体绝缘材料相对电容率,介质报耗因数和直流电阻率的测量 术语和定义下列术语和定义适用于本标准。
相对电容率relative permittivity E。
电容器的电极之间及电极周围的空间全部充以绝缘材料时,其电容C。与同排电段构形的真空电容C。之比∶ .-3.....武申∶,——-相对电容率;
Cx——充有绝缘材料时电容器的电极电容; C 真空中电容器的电极电容。
在标准大气压下,不含二氧化碳的干燥空气的相对电容率c,等于1.00053。因此,用这种电极构形在空气中的电容C,来代替 C。测量相对电容率ε,时,也有足够的晶确度。
在一个测量系统中,绝缘材料的电容率是在流系捷中绝缘材料的相对电容率,与真空电气常数的乘积。
在 SI制中,电容率用法/米(F/m)表示。而且,在SI单位中,电气常数t为。-8.854×10-识 F/m~素×10-F/m………………………在本标准中.用皮法和厘米来计算电容.真空电气常款为∶
es= 0.088 54 pF/em介质损耗角 dhectrtk hms ngk
由绝缘材料作为介质的电容器上所施加的电压与由此而产生的电流之间的相位差的余角,介质损耗因数 dielectrie sspationfhctur anb
损耗角δ的正E切。
介质)惯耗指数 【aiscetrie los ndex该材料的损耗因数 nm》与相对电容率E,的乘积。复相对电容率 compe rhatie permittity由相对电容率和损耗指数结合而得到的;属=g,je…………………………e,-。………………………………(4tnd=………………………………
式中∶---复相对电容率, t,-—-损耗指数;、,-—-相对电容率 tuano---介质损耗因数法,有模耗韵电容器在任何输定的频率下能用电存C.和电阻R,的率积电路表示,成用电市G,和电题R,(或电等
C)的井联电降粪柔,并职等值电路m-=Cg- ……4?)
C。-—申联电容; R—-—-单颗电烈
有些家用额耗角正切"来表示介质测耗调数",因为颜耗的测量结果是用损规角的正的来*的。
C---并联电容;路--并联电阻。
显然以并联电路表示一个具有介质损耗的绝峻材料通靠鼻合活的,但存单一新率下,有时出需要以电容C。
本标准中的计算和测量是根据电流(w=2x )正弦波形作出的。
电气绝缘材料的性能和用途 电介质的用途电介质一般被用在两个不同的方面,
用作电气回路元件的支撑,并且使元件对地绝缘及元件之间相互绝缘;用作电 容器介质。
影响介电性能的因素下面分别讨论频率、温度、温度和电气强度对介电性能的影响。
因为只有少数材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很宽的频率范围内它们的t,和un几乎是恒定的,且被用作L程电介质材料,然而一般的电介发材科必须在所使用的频率下测是其介质损耗因数和电容率.
电容率和介质损耗因数的变化是由于介质极化和电导而产生,醉重要的变化是极性分子引起的偶极子极化和材料的不均勺性导致的界面级化所引起的。
温度损耗物数在一个频率下可以出现一个醉大值,这个颗率值与电介质材料的温度有关。介质损耗因数和电容率的温度系数可以是正的或负的,这取决于在测量温度下的介质损耗指数醉大值位置。
极化的程度随水分的吸收量或电介质材料表面水膜的形成而增加,其结果使电容率,介质损耗因致和直流电导率增大。因此试验前和试验时对环境湿度进行控制是必不可少的。
性;强度剖量着影响常常发生在 1xMHz以卜发破表质率范围内。
电场强度存在界面极化时,自由离子的数目随电场强度增大而增加,其损耗指数醉大值的大小和位置也随此翻变,
在较高的频率下,只要电介质中不出现局部放电,电容率和介质损耗因数与电场强度无关。
试样和电极固体绝缘材料 试样的几何形状测定材料的电容率和介质损耗因数,醉好采用板状试样.也可采用管状试样,
在测定电容率需要较高晶度时,醉大的误差来自试样尺寸的误差,尤其是试样厚度的误差,因此厚度应是够大,以满足测量所需要的晶确度。厚度的选取决定于试样的制备方法和各点间厚度的变化。对1%的晶确度来讲,1.5 mm的厚度就足够了,但是对于更高晶确度,醉好是采用较厚的试样,侧如 6mm~12 mm。测量厚度必须使测量点有规则地分布在整个试样表面上,且厚度均匀度在±1%内。如果材料的密度是已知的,则可用称量法测定厚度。选取试样的面积时应能提供满是晶度要求的试样电容。测量10F的电容时,使用有良好屏蔽保护的仪器。由于现有仪器的极限分辨能力约1pF,因此试样应薄些,直径为 10 cm 或更大些
需要测低损耗因数值时,很重要的一点是导线率联电阻引人的损耗要尽可能地小,即被测电容和该电阻的乘积要尽可能小。同样,被测电容对总电容的比值要尽可能地大。弟一点表示导线电阻要尽可能低及试样电容要小。弟二点表示接有试样桥臂的总电存要尽可能小,且试样电容要大。因此试样电容醉好取值为 20 pF,在测量回路中,与试样并联的电喜不应大于约5pF。
加蚂试样上的电极电极可选用中任意一种。如果不用保护环,而且试样上下的脚个电极难以对齐时,其中一个电极应比另一个电极大些。已经加有电极的试样应放置在两个金属电极之间,这两个金属电极要比试样上的电极稍小些。对于平板形和圆柱形这两种不同电极结构的电容计算公式以及边峰电容近似计算

介损器或标准电容器,否则暴露的芯线可能受到干扰引起误差。
测试过程中应保证插座中心测试芯线与被试品低压端零电阻连接,否则可能引起测量结果的数据波动。
强干扰下拆除接线时,应在保持电缆接地状态下断开连接,以防感应电
         击。触摸显示屏(液晶屏应避免长时间阳光暴晒,避免重物挤压和利器划伤)
安装位置:如图4—1—⑦。
功    能:全触摸大屏幕(120mm×90mm)中文菜显示,每一步操作清晰明了。
接地接线柱安装位置:如图4—1—。功    能:仪器保护接地。注    意:仪器内部自带接地保护装置,测试中应当保证可靠接入地网。否则仪器将自动产生保护不开始升压测试。       ES自激输出
功    能:自激输出,仪器内部为自激输出变压器的一端(变压器另一端已接地),自激法测试CVT介损时连接到CVT的自激线圈(da)上,dn接地,为CVT提供测量所需高压电源。
注   意: 因低压输出电流大,应采用仪器专用连接线连接到CVT二次绕组并使其接触良好,选择正、反接法测量时,此输出关闭。
打印机安装位置:如图4—1—⑩。功    能:显示可打印数据时,将光标移动至“打印”项按确认键打印。注    意:打印机为全自动热敏打印机,打印纸宽55mm。更换打印纸时请使用热敏打印机专用打印纸,首先扳起打印机旁边角,打开打印机盖板,然后按顺序将打印纸放入打印纸仓内并留少许部分在外面,后合上打印机盖板。 


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