技术指标
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配置 |
测试范围 |
测试参数 |
条件 |
范围 |
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电压 1000V |
IGBTs 绝缘栅双极型晶体管 |
EAS/单脉冲雪崩能量 |
VCE |
20V-4500V |
20-100V±3%±1V 100-1000V±3%±5V 1000-4500V±3%±10V |
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电流 200A |
MOSFETs MOS场效应管 |
EAR/重复脉冲雪崩能量 |
Ic |
1mA-200A |
1mA-100mA±3%±0.1mA 100mA-2A±3%±5mA 2A-200A±3%±50mA |
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DIODEs 二极管 |
IAS/单脉冲雪崩电流 |
Ea |
1J-2000J |
1J-100J±3%±1J 100J-500J±3%±5J 500J-2000J±3%±10J |
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PAS/单脉冲雪崩功率 |
IC检测 |
50mV/A（取决于传感器） |
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感性负载 |
10mH、20mH、40mH、80mH、100mH |
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重复间隙时间 |
1-60s可调（步进1s）重复次数：1-50次 |
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