100V MOS管SOT-23封装 大晶圆低开启

HN0501  N沟道


VDS=100V  IDS=5A  SOT-23


HN0501为中压MOS:100V，N沟道，大电流，小封装MOS，HN0501实际电压可以达到100V，可以满足LED电源，充电器，小家电等需要低压，大电流，小封装的要求，


HN0501产品质量稳定，广泛运用于LED电源，充电器，小家电，电源，混色LED灯等电子产品
 

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MOS管的特性；

上述MOS管的工作原理中可以看出，MOS管的栅极G和源极S之间是绝缘的，由于Sio2绝缘层的存在，在栅极G和源极S之间等效是一个电容存在，电压VGS产生电场从而导致源极-漏极电流的产生。此时的栅极电压VGS决定了漏极电流的大小，控制栅极电压VGS的大小就可以控制漏极电流ID的大小。这就可以得出如下结论：

1） MOS管是一个由改变电压来控制电流的器件，所以是电压器件。

2） MOS管道输入特性为容性特性，所以输入阻抗极高。

4、MOS管的电压极性和符号规则；

图1-4-A 是N沟道MOS管的符号，图中D是漏极，S是源极，G是栅极，中间的箭头表示衬底，如果箭头向里表示是N沟道的MOS管，箭头向外表示是P沟道的MOS管。

在实际MOS管生产的过程中衬底在出厂前就和源极连接，所以在符号的规则中；表示衬底的箭头也必须和源极相连接，以区别漏极和源极。图1-5-A是P沟道MOS管的符号。

MOS管应用电压的极性和我们普通的晶体三极管相同，N沟道的类似NPN晶体三极管，漏极D接正极，源极S接负极，栅极G正电压时导电沟道建立，N沟道MOS管开始工作,如图1-4-B所示。同样P道的类似PNP晶体三极管，漏极D接负极，源极S接正极，栅极G负电压时，导电沟道建立，P沟道MOS管开始工作,如图1-5-B所示。

图1-4-A N沟道MOS管符号

图1-4-B N沟道MOS管电压极性及衬底连接

图1-5-A P沟道MOS管符号

图1-5-B P沟道MOS管电压极性及衬底连接