产品型号：HC021N10L参数：100V35A ，类型：N沟道场效应管，内阻22mR，超低结电容1880pF 封装：贴片（TO-252），低开启电压1.5V，低内阻，结电容小,低开启电压，温升低，转换效率高，过电流大，抗冲击能力强
HC012N10L优势替代HY1310D，替代HY1210D，替代CJU30N10
封装厂规模图：
N沟道100V贴片MOS管35A100V 大晶圆低开启
发布日期 ：2022-01-14 11:03 编号：4855283
发布IP：113.87.89.90
- 供货厂家
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东莞市惠海半导体有限公司总部
- 品牌
- 惠新晨电子
- MOS
- 100V35A
- 封装
- TO-252
- 35N10
- 场效应管
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