村田高频电容
村田推出了一系列具有优异高频特性的小型电容器。这些电容器可以减少所需的安装元件的数量,并且在高温下保证其工作。
村田电容器,可在温度超过125℃附近的PA电路和高温环境中使用。
电路板和部件的发热可以提高基站PA的温度,尤其是放大器晶体管的发热可以增加,并且附近的定位DC切割和匹配电容器可以加热。此外,当接收到放大的电能时,电容器本身的发热可以增加。
村田提供的高Q电容器阵容,包括传统的125℃保证电容器(C0G特性)和150℃保证电容器(X8G特性)。这减少了对直流切割和匹配电容器的环境温度的限制,以获得更大的设计自由度。
村田提供了包括传统1608尺寸以及1005尺寸的高Q电容器的阵容。通过使用特殊的结构和材料,与标准规格(GRM系列)相比,即使对于电容值低的电容器,也能够获得更高的Q值。可以使用紧凑匹配电容器和高Q值来实现高频PA电路的更密集的设计。
村田提供的一系列电容器与金属端子,可以实现高电容,同时占用了小面积的结果,创建多层陶瓷电容器的两层。大型(5750)芯片多层陶瓷电容器往往可以避免由于机械应力引起的裂纹或温度循环引起的焊接裂纹,但金属端子可以吸收该应力并成功地将这些风险最小化。晶体管去耦电容器的大容量和节省空间设计可以提供更大的设计自由度。