4英寸半绝缘碳化硅衬底片生产商

苏州恒迈瑞材料科技半绝缘型碳化硅衬底片厚度500um±25um，晶向为on axis <0001>±0.5°，导电性碳化硅衬底片厚度350um±25um，晶向为Off axis:4.0°toward<1120>±0.5°，量大可定制3.5° 8°。

SiC碳化硅材料具有优良的热学、力学、化学和电学性质，不但是制作高温、高频、大功率电子器件的材料之一，而且可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料，打破了蓝宝石一统天下的局面，尤其在路灯和室外照明领域具有巨大的市场潜力。在半导体领域最常用的SiC是4H-SiC 和6H-SiC 两种。

在航空航天或军事领域， 系统的工作条件极其恶劣。 从 80 年代末起， SiC 材料与器件的飞速发展。 由于 SiC 材料种类很多， 性质各异， 它的应用范围十分广泛。在大功率器件方面， 利用 SiC 材料可以制作的器件， 其电流特性、 电压特性、和高频特性等具有比 Si 材料更好的性质。在高频器件面， SiC 高频器件输出功率更高， 且耐高温和耐辐射辐射特性更好， 可用于通信电子系统等。在光电器件方面， 利用 SiC 不影响红外辐射的性质， 可将其用在紫外探测器上， 在 350℃的温度检测红外背景下的紫外信号， 功率利用率 80%左右。在耐辐射方面， 一些 SiC 器件辐射环境恶劣的条件下使用如核反应堆中应用。高温应用方面， 利用 SiC 材料制备的器件工作温度相当地高， 如 SiC MOSFET和 SiC 肖特基二极管可在 900k 下工作。