TDM3412 双路N通道增强型MOSFET | |
一般描述 | |
TDM3412采用先进的沟槽技术 | |
提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。 这个 | |
器件适合用作负载开关或PWM应用。 | |
一般描述 | |
l频道1 | |
RDS(ON)<17.5mΩ@ VGS = 4.5V | |
lRDS(ON)<10.8mΩ@ VGS = 10V | |
l频道2 | |
RDS(ON)<16mΩ@ VGS = 4.5V | |
RDS(ON)<10mΩ@ VGS = 10V | |
l高功率和电流处理能力 | |
l提供无铅产品 | |
l表面贴装封装 | |
应用范围:lPWM应用,负载开关,电源管理 |