供应日本林电PT100、PT1000A 级铂电阻
型号：PT100、PT1000 薄膜电阻芯片
描述：用真空沉积的薄膜技术把铂溅射在陶瓷基片上，膜厚在2微米以内，用玻璃烧结料把Ni（或Pd）引线固定，经激光调阻制成薄膜元件。
日本林电工HAYASHI DENKO pt100 pt500 pt1000铂电阻元件--薄膜铂电阻： 用真空沉积的薄膜技术把铂溅射在陶瓷基片上，膜厚在2μm以内，用玻璃烧结料把Ni(或Pd)引线固定，经激光调阻制成薄膜元件。绕线铂电阻（陶瓷、玻璃、云母）：用φ0.02～0.04 ㎜ 高纯铂丝绕制而成。
性能和参数
1.铂电阻元件的温度系数TCR
TCR=R100-R0/ R0×100
其中
R100 在100℃时的电阻值
R0 在0℃时的电阻值
我们提供符合IEC751标准的TCR=0.003851的铂电阻元件，此外，我们也可为客户提供其它温度系数的铂电阻元件，如TCR=0.003750等。
2.铂电阻元件的温度-电阻特性
RT=R0[1+aT-bT2-cT3 (T-100)]
RT 在温度T时的电阻值
R0 在零度时的电阻值
a b c 系数
TCR=0.003851时的系数
| 温度 | a | b | c |
| T＜0 | 3.90802×10-3 | 5.80195×10-7 | 4.27351×10-12 |
| T≥0 | 3.90802×10-3 | 5.80195×10-7 | 0 |
3．铂电阻元件的误差
| 级 别 | 零度时阻值误差（%） | 温 度 误 差（℃） | 温度系数TCR误差(ohm/ohm/℃) |
| 1/3DIN | ±0.04 | ±(0.10+0.0017|T|) | 0.003851±0.000004 |
| A | ±0.06 | ±(0.15+0.002|T|) | 0.003851±0.000005 |
| B | ±0.12 | ±(0.30+0.005|T|) | 0.003851±0.000012 |
| 2B | ±0.25 | ±(0.60+0.01|T|) | 0.003851±0.000024 |
CRZ薄膜元件应用的注意事项:
1. 直接使用元件或制成温度传感器测温时，避免超过测温量程，短时间内虽不会损坏亦影响产品寿命和精度。
2. 用CRZ元件组装温度传感器时，在使用高温固化环氧胶灌封时，应注意其在固化过程中应力的变化，否则可能损坏元件(一般为开路)；在使用氧化镁或氧化铝充填过程中，应避免元件直接接触保护管尖锐的内表面，否则在振动过程中，有可能使元件的瓷片边缘破损，造成元件开路损坏。
3. 在制做温度传感器时，必须保证灌封材料的高度绝缘性能，否则会导致产品的电气绝缘性能降低，并且影响元件的测试数据，一般会导致测试电阻值偏低。
