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  关于硅片清洗：在通风橱内，将切割好的小型硅片置于干净的羟化烧杯(专用)中，将其 正面朝上，用去离子水清洗3次，清洗时稍用力，使硅片能够在烧杯中旋转起来，以减少硅片之间的摩擦碰撞，将水倒净，立即用移液管(过氧化氢专用)往烧杯中加入5ml过氧化氢(H2O2)，然后用移液管(浓硫酸专用)加入15ml浓硫酸(H2SO4)，在摇床上缓慢振荡或静置30分钟使之充分反应，此反应可使表面羟基化。倒掉上步反应的液体，用去离子水清洗3次。清洗时稍用力，使硅片能够在烧杯中旋转起来，以减少硅片之间的摩擦碰撞;然后将烧杯口向下倾斜，缓慢转动烧杯，使烧杯壁上的浓硫酸能被洗去。清洗结束后，用大量水保存硅片，并需要使硅片的正面保持朝上。
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