IRG4PH40UD2-E G4PH40UD2 TO-247 21A 1200V 电磁炉用MOS场效应管
型号:G4PH40UD2-E
类别:分立半导体产品
产品族:晶体管-UGBT MOSFET-单
电压-集射极击穿:1200V
电流-集电极:41A
脉冲电流-集电极:82A
功率:160W
开关能量:1.95mJ(开)1.71mJ(关)
输入类型:标准
栅极电荷:100nC
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装:TO-247
型号:G4PH40UD2-E
类别:分立半导体产品
产品族:晶体管-UGBT MOSFET-单
电压-集射极击穿:1200V
电流-集电极:41A
脉冲电流-集电极:82A
功率:160W
开关能量:1.95mJ(开)1.71mJ(关)
输入类型:标准
栅极电荷:100nC
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装:TO-247